Vishay Siliconix推出業(yè)界首款SO-8占位面積的30V P溝道功率MOSFET器件

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用SO-8占位面積的30V P溝道功率MOSFET器件 --- Si7145DP，將10V、4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻降至2.6mΩ和3.75mΩ。憑借這些性能規(guī)格，新的Vishay Siliconix Si7145DP--第三代TrenchFET P溝道家族的最新成員--實(shí)現(xiàn)了在這個(gè)電壓等級(jí)和占位下最低的導(dǎo)通電阻。

    Si7145DP采用PowerPAK® SO-8封裝，可用作適配器開(kāi)關(guān)，以及筆記本電腦和工業(yè)及通用系統(tǒng)中的負(fù)載切換應(yīng)用。器件的低導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗，使Si7145DP能夠更好地節(jié)約電能，延長(zhǎng)充電間隔之間的電池壽命。這個(gè)特性在適配器開(kāi)關(guān)中尤其重要(在適配器、墻上電源或電池電源之間切換)，因?yàn)檫m配器開(kāi)關(guān)是一直導(dǎo)通并且要汲取電流。

    而競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手最好的采用SO-8占位的30V P溝道器件，在10V和4.5V電壓下的最大導(dǎo)通電阻分別為3.1mΩ和4.3mΩ，比Si7145DP高16%和13%。

    Vishay Siliconix是業(yè)內(nèi)第一家引入Trench功率MOSFET的供應(yīng)商。該公司的TrenchFET知識(shí)產(chǎn)權(quán)包括眾多專(zhuān)利，包括可追溯自20世紀(jì)80年代早期的基礎(chǔ)技術(shù)專(zhuān)利。每一代新TrenchFET技術(shù)都會(huì)將計(jì)算、通信、消費(fèi)電子和許多其他應(yīng)用中功率MOSFET的性能提升到一個(gè)新的等級(jí)。

    器件完全通過(guò)了Rg和UIS測(cè)試，并且不含鹵素。

    Vishay在2009年還將發(fā)布多款第三代P溝道TrenchFET功率MOSFET，提供更多的電壓等級(jí)范圍和更多的封裝選項(xiàng)。更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/。

    Si7145DP現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為10至12周。

    VISHAY簡(jiǎn)介

    Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富 1,000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC）和無(wú)源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車(chē)、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場(chǎng)的各種類(lèi)型的電子設(shè)備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān) Vishay 的詳細(xì)信息，敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com�！�