Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新型20VP通道TrenchFET®第三代功率MOSFET

該器件采用SO-8封裝，在10V及4.5V時(shí)分別提供1.9mΩ和2.5mΩ的業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻

    賓夕法尼亞、MALVERN—2009年3月10日—日前，Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）發(fā)布采用其新型p通道TrenchFET®第三代技術(shù)的首款器件---Si7137DP，該20Vp通道MOSFET采用SO-8封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。

    新型Si7137DP具有1.9mΩ（在10V時(shí)）、2.5mΩ（在4.5V時(shí)）和3.9mΩ（在2.5V時(shí)）的超低導(dǎo)通電阻。TrenchFET第三代MOSFET的低導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗，從而確保器件可以比之前市面上p通道功率MOSFET更低的功耗執(zhí)行切換任務(wù)。

    Si7137DP將用作適配器開關(guān)，用于筆記本電腦及工業(yè)/通用系統(tǒng)中的負(fù)載切換應(yīng)用。適配器開關(guān)（在適配器/墻壁電源和電池電源間切換）一直處于導(dǎo)通狀態(tài)，消耗電流。Si7137DP的低導(dǎo)通電阻能耗低，節(jié)省電力并延長(zhǎng)兩次充電間的電池可用時(shí)間。

    對(duì)于使用20V器件足夠的應(yīng)用，Si7137DP令設(shè)計(jì)人員無須依賴30V功率MOSFET，直到最近30V功率MOSFET才成為具有如此低導(dǎo)通電阻范圍的唯一p通道器件。最接近的同類20Vp通道器件具有12-V以上的柵極至源極額定值，在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)導(dǎo)通電阻為14mΩ，且沒有10V柵極至源極電壓的特點(diǎn)。在同類30V器件中，采用SO-8封裝尺寸的最低p通道導(dǎo)通電阻在10V及4.5V時(shí)分別為3.5mΩ和6.3mΩ，約為Si7137DP的一倍。

    Vishay將在2009年發(fā)布具有各種額定電壓及封裝選擇的其他p通道TrenchFET第三代功率MOSFET。今天發(fā)布的該器件100%通過Rg和UIS認(rèn)證，且不含鹵素。

    目前，新型Si7137DP TrenchFET功率MOSFET可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂單的供貨周期為10至12周�！究蓮囊韵戮W(wǎng)址下載高分辨率圖像(<500K)：http://www.vishaypr.com/photopost/showphoto.php?photo=474】

VISHAY SILICONIX簡(jiǎn)介
Vishay Siliconix是現(xiàn)今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計(jì)算機(jī)、蜂窩電話和通信基礎(chǔ)設(shè)備的管理和功率轉(zhuǎn)換以及控制計(jì)算機(jī)磁盤驅(qū)動(dòng)和汽車系統(tǒng)的固態(tài)開關(guān)的供應(yīng)商。Vishay Siliconix的硅技術(shù)和封裝產(chǎn)品的里程碑，包括在業(yè)內(nèi)建成第一個(gè)基于槽硅工藝（TrenchFET®）的功率型MOSFET和業(yè)內(nèi)第一個(gè)小型的表面貼裝的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)。
創(chuàng)新的傳統(tǒng)不斷的衍生出新的硅技術(shù)，例如被設(shè)計(jì)用來在直流電到直流電的轉(zhuǎn)換和負(fù)荷切換的應(yīng)用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術(shù)，以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能(PowerPAK®)和更小空間(ChipFET®，MICRO FOOT®)新的封裝選擇。除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的產(chǎn)品還包括功率集成電路和業(yè)界最杰出的模擬交換和多路復(fù)用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發(fā)展不僅專注于應(yīng)用在蜂窩電話、筆記本計(jì)算機(jī)、和固定電信基礎(chǔ)設(shè)備的功率轉(zhuǎn)換元件，而且也同樣關(guān)注低電壓、約束空間的新型模擬開關(guān)集成電路。
Siliconix創(chuàng)建于1962年，在1996年Vishay購(gòu)買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。

VISHAY簡(jiǎn)介
Vishay Intertechnology,Inc.是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富1,000強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場(chǎng)的各種類型的電子設(shè)備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略，以及提供“一站式”服務(wù)的能力使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站www.vishay.com。
TrenchFET®和PowerPAK®是Siliconix Incorporated的注冊(cè)商標(biāo)。