電腦芯片中的元件有的僅僅只有40納米,還不到人頭發(fā)絲的千分之一。這些元件在美國國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究所的物理學(xué)家、工程師、統(tǒng)計學(xué)家和其它有關(guān)人員不懈的努力下已經(jīng)可以被精確的標(biāo)度和校準(zhǔn),使得電子電路的生產(chǎn)更加現(xiàn)代化。
美國國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究所研究的這種新型測量方法歷時四年研究而成,通過測量原子衍射電子產(chǎn)生的間距的算法,算出元件的直徑,提供了一種測量嵌入式芯片中的精密線形元件的方法。40納米至275納米的植入晶體硅中的元件都可以用此方法進(jìn)行測量。生產(chǎn)商可以用這種校準(zhǔn)方法校準(zhǔn)微處理器的電子電路,比如芯片中控制電子流動部分的元器件。
研究所參與研究的一位研究員Richard Allen說道,在半導(dǎo)體行業(yè)中,必須全力以赴才能保持生存。這項研究就是為了測量線性材料而開展的。
這種新型的參考標(biāo)準(zhǔn)測量物被安置在晶體硅片中,經(jīng)過同國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究所2001年生產(chǎn)的樣本進(jìn)行對比發(fā)現(xiàn),這種新的標(biāo)準(zhǔn)測量物提供了更寬的測量范圍,能測量的元器件更細(xì)小。測量精度也從原來的14納米提高為小于2納米。在這種新的標(biāo)準(zhǔn)測量物問世以前,各個生產(chǎn)公司都是通過各自內(nèi)部的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測量的。
3月2日,在加州圣何塞舉辦的國際社會光學(xué)工程會議上,國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究所、SEMATECH公司將正式向社會公布此項成果。
美國國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究所研究的這種新型測量方法歷時四年研究而成,通過測量原子衍射電子產(chǎn)生的間距的算法,算出元件的直徑,提供了一種測量嵌入式芯片中的精密線形元件的方法。40納米至275納米的植入晶體硅中的元件都可以用此方法進(jìn)行測量。生產(chǎn)商可以用這種校準(zhǔn)方法校準(zhǔn)微處理器的電子電路,比如芯片中控制電子流動部分的元器件。
研究所參與研究的一位研究員Richard Allen說道,在半導(dǎo)體行業(yè)中,必須全力以赴才能保持生存。這項研究就是為了測量線性材料而開展的。
這種新型的參考標(biāo)準(zhǔn)測量物被安置在晶體硅片中,經(jīng)過同國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究所2001年生產(chǎn)的樣本進(jìn)行對比發(fā)現(xiàn),這種新的標(biāo)準(zhǔn)測量物提供了更寬的測量范圍,能測量的元器件更細(xì)小。測量精度也從原來的14納米提高為小于2納米。在這種新的標(biāo)準(zhǔn)測量物問世以前,各個生產(chǎn)公司都是通過各自內(nèi)部的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測量的。
3月2日,在加州圣何塞舉辦的國際社會光學(xué)工程會議上,國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究所、SEMATECH公司將正式向社會公布此項成果。
免責(zé)聲明:本文僅代表作者個人觀點,與電源在線網(wǎng)無關(guān)。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實,對本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾,請讀者僅作參考,并請自行核實相關(guān)內(nèi)容。
本文鏈接:美國國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究所(NIST)研制
http:leisuda.cn/news/2005-2/2005228103335.html
http:leisuda.cn/news/2005-2/2005228103335.html

