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<P> 賓夕法尼亞、MALVERN—2022年2月7日—日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代號:VSH)宣布,推出兩款n溝道TrenchFET®MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E,以提高通信和工業(yè)應(yīng)用功率密度、能效和板級可靠性。為實現(xiàn)設(shè)計目標(biāo),60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具有超低導(dǎo)通電阻,工作溫度可達(dá)+175(C以及高連續(xù)漏極電流。節(jié)省空間的PowerPAK®8x8L封裝采用無引線鍵合鷗翼引線結(jié)構(gòu)消除機(jī)械應(yīng)力,有助于提高板級可靠性。</P> <P align=center><IMG border=0 src="/uploadfile/newspic/20220215103108896.jpg"></P> <P> SiJH600E和SiJH800E超低導(dǎo)通電阻—10 V下典型值分別為0.65 m(和1.22 m(—比同代PowerPAK SO-8封裝器件分別降低54%和52%,從而減小了傳導(dǎo)功耗,實現(xiàn)節(jié)能的效果。</P> <P> 為提高功率密度,SiJH600E和SiJH800E連續(xù)漏極電流分別為373 A和288 A,封裝占位面積比D2PAK封裝減小60%,高度降低57%。為節(jié)省電路板空間,每款MOSFET還可以用來取代兩個并聯(lián)的PowerPAK SO-8器件。</P>