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所屬類(lèi)別:
(不超過(guò)20項(xiàng))
電源產(chǎn)品分類(lèi)
:
UPS電源
穩(wěn)壓電源
EPS電源
變頻電源
凈化電源
特種電源
發(fā)電機(jī)組
開(kāi)關(guān)電源(AC/DC)
逆變電源(DC/AC)
模塊電源(DC/DC)
電源應(yīng)用分類(lèi)
:
通信電源
電力電源
車(chē)載電源
軍工電源
航空航天電源
工控電源
PC電源
LED電源
電鍍電源
焊接電源
加熱電源
醫(yī)療電源
家電電源
便攜式電源
充電機(jī)(器)
勵(lì)磁電源
電源配套分類(lèi)
:
功率器件
防雷浪涌
測(cè)試儀器
電磁兼容
電源IC
電池/蓄電池
電池檢測(cè)
變壓器
傳感器
軸流風(fēng)機(jī)
電子元件
連接器及端子
散熱器
電解電容
PCB/輔助材料
新能源分類(lèi)
:
太陽(yáng)能(光伏發(fā)電)
風(fēng)能發(fā)電
潮汐發(fā)電
水利發(fā)電
燃料電池
其他類(lèi)
:
其他
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內(nèi) 容:
<P> 2021年6月8日—推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),發(fā)布一對(duì)1200 V完整的碳化硅(SiC)MOSFET 2-PACK模塊,進(jìn)一步增強(qiáng)其用于充滿(mǎn)挑戰(zhàn)的電動(dòng)車(chē)(EV)市場(chǎng)的產(chǎn)品系列。</P> <P> 隨著電動(dòng)車(chē)銷(xiāo)售不斷增長(zhǎng),必須推出滿(mǎn)足駕駛員需求的基礎(chǔ)設(shè)施,以提供一個(gè)快速充電站網(wǎng)絡(luò),使他們能夠快速完成行程,而沒(méi)有“續(xù)航里程焦慮癥”。這一領(lǐng)域的要求正在迅速發(fā)展,需要超過(guò)350 kW的功率水平和95%的能效成為“常規(guī)”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點(diǎn),緊湊性、魯棒性和增強(qiáng)的可靠性都是設(shè)計(jì)人員面臨的挑戰(zhàn)。</P> <P> 新的1200 V M1完整SiC MOSFET 2 pack模塊,基于平面技術(shù),適合18 V到20 V范圍內(nèi)的驅(qū)動(dòng)電壓,易于用負(fù)門(mén)極電壓驅(qū)動(dòng)。它的較大裸芯片與溝槽式MOSFET相比,降低了熱阻,從而在相同的工作溫度下降低了裸芯片溫度。</P> <P> NXH010P120MNF配置為2-PACK半橋架構(gòu),是采用F1封裝的10 mohm器件,而NXH006P120MNF2是采用F2封裝的6 mohm器件。這些封裝采用壓接式引腳,是工業(yè)應(yīng)用的理想選擇,且嵌入的一個(gè)負(fù)溫系數(shù)(NTC)熱敏電阻有助于溫度監(jiān)測(cè)。</P> <P> 新的SiC MOSFET模塊是安森美半導(dǎo)體電動(dòng)車(chē)充電生態(tài)系統(tǒng)的一部分,被設(shè)計(jì)為與NCD5700x器件等驅(qū)動(dòng)器方案一起使用。最近推出的NCD57252雙通道隔離型IGBT/MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)器提供5 kV的電隔離,可配置為雙下橋、雙上橋或半橋工作。</P> <P align=center><IMG border=0 src="/uploadfile/newspic/20210609115158481.jpg"></P> <P> NCD57252采用小型SOIC-16寬體封裝,接受邏輯電平輸入(3.3 V、5 V和15 V)。該高電流器件(在米勒平臺(tái)電壓下,源電流4.0 A/灌電流6.0 A)適合高速工作,因?yàn)榈湫蛡鞑パ舆t為60 ns。</P> <P> 安森美半導(dǎo)體的SiC MOSFET與新的模塊和門(mén)極驅(qū)動(dòng)器相輔相成,比類(lèi)似的硅器件提供更勝一籌的開(kāi)關(guān)性能和增強(qiáng)的散熱性,令能效和功率密度更高,電磁干擾(EMI)得以改善,并減小系統(tǒng)尺寸和重量。</P> <P> 最近發(fā)布的650 V SiC MOSFET采用新穎的有源單元設(shè)計(jì),結(jié)合先進(jìn)的薄晶圓技術(shù),使(RDS(on)*area)的品質(zhì)因數(shù)(FoM)達(dá)到同類(lèi)最佳。該系列器件如NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC等是市場(chǎng)上采用D2PAK7L/TO247封裝的具有最低RDS(on)的MOSFET。</P> <P> 1200 V和900 V N溝道SiC MOSFET芯片尺寸小,減少了器件電容和門(mén)極電荷(Qg-低至220 nC),從而減少電動(dòng)車(chē)充電樁所需高頻工作的開(kāi)關(guān)損耗。</P> <P> 在A(yíng)PEC 2021期間,安森美半導(dǎo)體將展示用于工業(yè)應(yīng)用的SiC方案,并在展商研討會(huì)上介紹電動(dòng)車(chē)非車(chē)載充電方案。</P>