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<P> 2021年6月8日—推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON),發(fā)布一對1200 V完整的碳化硅(SiC)MOSFET 2-PACK模塊,進(jìn)一步增強(qiáng)其用于充滿挑戰(zhàn)的電動車(EV)市場的產(chǎn)品系列。</P> <P> 隨著電動車銷售不斷增長,必須推出滿足駕駛員需求的基礎(chǔ)設(shè)施,以提供一個快速充電站網(wǎng)絡(luò),使他們能夠快速完成行程,而沒有“續(xù)航里程焦慮癥”。這一領(lǐng)域的要求正在迅速發(fā)展,需要超過350 kW的功率水平和95%的能效成為“常規(guī)”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點(diǎn),緊湊性、魯棒性和增強(qiáng)的可靠性都是設(shè)計人員面臨的挑戰(zhàn)。</P> <P> 新的1200 V M1完整SiC MOSFET 2 pack模塊,基于平面技術(shù),適合18 V到20 V范圍內(nèi)的驅(qū)動電壓,易于用負(fù)門極電壓驅(qū)動。它的較大裸芯片與溝槽式MOSFET相比,降低了熱阻,從而在相同的工作溫度下降低了裸芯片溫度。</P> <P> NXH010P120MNF配置為2-PACK半橋架構(gòu),是采用F1封裝的10 mohm器件,而NXH006P120MNF2是采用F2封裝的6 mohm器件。這些封裝采用壓接式引腳,是工業(yè)應(yīng)用的理想選擇,且嵌入的一個負(fù)溫系數(shù)(NTC)熱敏電阻有助于溫度監(jiān)測。</P> <P> 新的SiC MOSFET模塊是安森美半導(dǎo)體電動車充電生態(tài)系統(tǒng)的一部分,被設(shè)計為與NCD5700x器件等驅(qū)動器方案一起使用。最近推出的NCD57252雙通道隔離型IGBT/MOSFET門極驅(qū)動器提供5 kV的電隔離,可配置為雙下橋、雙上橋或半橋工作。</P> <P align=center><IMG border=0 src="/uploadfile/newspic/20210609115158481.jpg"></P> <P> NCD57252采用小型SOIC-16寬體封裝,接受邏輯電平輸入(3.3 V、5 V和15 V)。該高電流器件(在米勒平臺電壓下,源電流4.0 A/灌電流6.0 A)適合高速工作,因?yàn)榈湫蛡鞑パ舆t為60 ns。</P> <P> 安森美半導(dǎo)體的SiC MOSFET與新的模塊和門極驅(qū)動器相輔相成,比類似的硅器件提供更勝一籌的開關(guān)性能和增強(qiáng)的散熱性,令能效和功率密度更高,電磁干擾(EMI)得以改善,并減小系統(tǒng)尺寸和重量。</P> <P> 最近發(fā)布的650 V SiC MOSFET采用新穎的有源單元設(shè)計,結(jié)合先進(jìn)的薄晶圓技術(shù),使(RDS(on)*area)的品質(zhì)因數(shù)(FoM)達(dá)到同類最佳。該系列器件如NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC等是市場上采用D2PAK7L/TO247封裝的具有最低RDS(on)的MOSFET。</P> <P> 1200 V和900 V N溝道SiC MOSFET芯片尺寸小,減少了器件電容和門極電荷(Qg-低至220 nC),從而減少電動車充電樁所需高頻工作的開關(guān)損耗。</P> <P> 在APEC 2021期間,安森美半導(dǎo)體將展示用于工業(yè)應(yīng)用的SiC方案,并在展商研討會上介紹電動車非車載充電方案。</P>