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其他
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<P> 2021年2月18日—推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),發(fā)布一系列新的碳化硅(SiC)MOSFET器件,適用于功率密度、能效和可靠性攸關(guān)的高要求應(yīng)用。設(shè)計(jì)人員用新的SiC器件取代現(xiàn)有的硅開關(guān)技術(shù),將在電動(dòng)汽車(EV)車載充電器(OBC)、太陽能逆變器、服務(wù)器電源(PSU)、電信和不間斷電源(UPS)等應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)顯著更好的性能。</P> <P align=center><IMG border=0 src="/uploadfile/newspic/20210221142419946.jpg"></P> <P> 安森美半導(dǎo)體新的車規(guī)AECQ101和工業(yè)級(jí)合格的650伏(V)SiC MOSFET基于一種新的寬禁帶材料,提供比硅更勝一籌的開關(guān)性能和更好的熱性能,因而提高系統(tǒng)級(jí)能效、功率密度,及減小電磁干擾(EMI)、系統(tǒng)尺寸和重量。</P> <P> 新一代SiC MOSFET采用新穎的有源單元設(shè)計(jì),結(jié)合先進(jìn)的薄晶圓技術(shù),可在650 V擊穿電壓實(shí)現(xiàn)同類最佳的品質(zhì)因數(shù)Rsp(Rdson*area)。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC1采用D2PAK7L和To247封裝,具有市場(chǎng)最低的Rdson(12 mOhm)。這技術(shù)還優(yōu)化能量損失品質(zhì)因數(shù),從而優(yōu)化了汽車和工業(yè)應(yīng)用中的性能。內(nèi)置門極電阻(Rg)為設(shè)計(jì)人員提供更大的靈活性,而無需使用外部門極電阻人為地降低器件的速度。更高的浪涌、雪崩能力和短路魯棒性都有助于增強(qiáng)耐用性,從而提供更高的可靠性和更長(zhǎng)的器件使用壽命。</P> <P> 安森美半導(dǎo)體先進(jìn)電源分部高級(jí)副總裁Asif Jakwani在發(fā)布新品時(shí)說:“在現(xiàn)代電源應(yīng)用中,如電動(dòng)汽車(EV)車載充電器(OBC)和可再生能源、企業(yè)計(jì)算及電信等其他應(yīng)用,高能效、可靠性和功率密度是設(shè)計(jì)人員一直面臨的挑戰(zhàn)。這些新的SiC MOSFET比同等的硅開關(guān)技術(shù)顯著提高性能,使工程師能夠滿足這些具有挑戰(zhàn)性的設(shè)計(jì)目標(biāo)。增強(qiáng)的性能降低損耗,從而提高能效,減少熱管理需求,并降低電磁干擾(EMI)。使用這些新的SiC MOSFET的最終結(jié)果是更小、更輕、更高效和更可靠的電源方案!</P> <P> 新器件均為表面貼裝,并提供行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝類型,包括TO247和D2PAK。</P>