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其他
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<P> 中國上海,2019年12月25日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出兩款面向車載48V電氣系統(tǒng)應(yīng)用的新型100V N溝道功率MOSFET。該系列包括具備低導(dǎo)通電阻的“XPH4R10ANB”-其漏極電流為70A,以及“XPH6R30ANB”-其漏極電流為45A。批量生產(chǎn)和出貨計劃于今天開始。</P> <P align=center><IMG border=0 src="/uploadfile/newspic/20191228155157113.jpg"></P> <P align=center> MOSFET產(chǎn)品圖</P> <P> 新產(chǎn)品是東芝首款[1]采用緊湊型SOP Advance(WF)封裝的車用100V N溝道功率MOSFET。封裝采用可焊錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu),安裝在電路板上時能夠進(jìn)行自動目視檢查,從而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低導(dǎo)通電阻有利于降低設(shè)備功耗;XPH4R10ANB擁有業(yè)界領(lǐng)先的[2]低導(dǎo)通電阻。</P> <P> <STRONG> 應(yīng)用:</STRONG></P> <P> ・汽車設(shè)備<BR> 電源裝置(DC-DC轉(zhuǎn)換器)和LED頭燈等(電機(jī)驅(qū)動、開關(guān)穩(wěn)壓器和負(fù)載開關(guān))</P> <P> <STRONG> 特性:</STRONG></P> <P> ・東芝的首款[1]100V車用產(chǎn)品使用小型表面貼裝SOP Advance(WF)封裝<BR> ・通過AEC-Q101認(rèn)證<BR> ・低導(dǎo)通電阻:<BR> RDS(ON)=4.1mΩ(最大值)VGS=10V(XPH4R10ANB)<BR> RDS(ON)=6.3mΩ(最大值)VGS=10V(XPH6R30ANB)<BR> ・采用可焊錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu)的SOP Advance(WF)封裝</P> <P><BR> 主要規(guī)格:</P> <P align=center><IMG border=0 src="/uploadfile/newspic/20191228155012312.jpg"></P> <P> 注釋:</P> <P> [1]截至2019年12月25日</P> <P> [2]在同樣規(guī)格的產(chǎn)品中,截至2019年12月25日。東芝調(diào)查。</P>