人妻熟人中文字幕一区二区,中文字幕乱码熟女人妻水蜜桃,在线天堂资源www在线中文,最近中文字幕完整版2018一页,又粗又猛又大爽又黄的老大爷
您的位置:
首頁(yè)
>>
管理中心
>>
行業(yè)資訊
>>修改新聞資訊信息
資訊類型:
行業(yè)要聞
企業(yè)動(dòng)態(tài)
新品速遞
解決方案
交流培訓(xùn)
嘉賓訪談
產(chǎn)業(yè)縱橫
人物聚焦
展會(huì)動(dòng)態(tài)
會(huì)展報(bào)告
本站動(dòng)態(tài)
標(biāo) 題:
*
頁(yè)面廣告:
不顯示
顯示
副 標(biāo) 題:
關(guān) 鍵 字:
多個(gè)關(guān)鍵字請(qǐng)用“
/
”分隔,如:西門子/重大新聞
內(nèi)容描述:
本文簡(jiǎn)要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響,并且根據(jù)SiC Mosfet管開關(guān)特性和高壓高頻的應(yīng)用環(huán)境特點(diǎn),推薦了金升陽(yáng)可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)隔離驅(qū)動(dòng)電路的SIC驅(qū)動(dòng)電源模塊。
新聞來源:
鏈 接:
責(zé)任編輯:
標(biāo)題圖片:
無
/uploadfile/newspic/20150612104108887.jpg
/uploadfile/newspic/20150612104149197.jpg
/uploadfile/newspic/20150612104207723.jpg
當(dāng)編輯區(qū)有插入圖片時(shí),將自動(dòng)填充此下拉框
*
所屬類別:
(不超過20項(xiàng))
電源產(chǎn)品分類
:
UPS電源
穩(wěn)壓電源
EPS電源
變頻電源
凈化電源
特種電源
發(fā)電機(jī)組
開關(guān)電源(AC/DC)
逆變電源(DC/AC)
模塊電源(DC/DC)
電源應(yīng)用分類
:
通信電源
電力電源
車載電源
軍工電源
航空航天電源
工控電源
PC電源
LED電源
電鍍電源
焊接電源
加熱電源
醫(yī)療電源
家電電源
便攜式電源
充電機(jī)(器)
勵(lì)磁電源
電源配套分類
:
功率器件
防雷浪涌
測(cè)試儀器
電磁兼容
電源IC
電池/蓄電池
電池檢測(cè)
變壓器
傳感器
軸流風(fēng)機(jī)
電子元件
連接器及端子
散熱器
電解電容
PCB/輔助材料
新能源分類
:
太陽(yáng)能(光伏發(fā)電)
風(fēng)能發(fā)電
潮汐發(fā)電
水利發(fā)電
燃料電池
其他類
:
其他
靜態(tài)頁(yè)面:
生成靜態(tài)頁(yè)面
*
內(nèi) 容:
<P> 摘要:本文簡(jiǎn)要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響,并且根據(jù)SiC Mosfet管開關(guān)特性和高壓高頻的應(yīng)用環(huán)境特點(diǎn),推薦了金升陽(yáng)可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)隔離驅(qū)動(dòng)電路的SIC驅(qū)動(dòng)電源模塊。 </P> <P> <STRONG>一、引言 </STRONG></P> <P> 以Si為襯底的Mosfet管因?yàn)槠漭斎胱杩垢撸?qū)動(dòng)功率小,驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,具有靠多數(shù)載流子工作導(dǎo)電特性,沒有少數(shù)載流子導(dǎo)電工作所需要的存儲(chǔ)時(shí)間,因而開關(guān)速度快,工作頻率可到500kHz,甚至MHz以上。但是隨著其反向耐壓的提高,通態(tài)電阻也急劇上升,從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應(yīng)用。IGBT具有高反向耐壓和大電流特性,但是對(duì)驅(qū)動(dòng)電路要求很嚴(yán)格,并且不適合工作在高頻場(chǎng)合,一般IGBT的工作頻率為20kHz以下。 </P> <P> SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件,具有飽和電子漂移速度高、電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度高、介電常數(shù)低和熱導(dǎo)率高等特性。以SiC為襯底的Mosfet管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強(qiáng),同時(shí)又具有通態(tài)電阻低和開關(guān)損耗小等特點(diǎn),是高頻高壓場(chǎng)合功率密度提高和效率提高的應(yīng)用趨勢(shì)。 </P> <P> <STRONG>二、SiC Mosfet與Si IGBT性能對(duì)比 </STRONG></P> <P> 目前市面上常見的SiC Mosfet電流均不大于50A,以常見的1200V/20A為例,列舉了Cree公司與Rohm公司的SiC Mosfet管的部分電氣參數(shù);同樣例舉了Fairchild 與APT公司的1200V/20A Si IGBT系列的電氣參數(shù)進(jìn)行比較; </P> <P align=center><IMG border=0 src="/uploadfile/newspic/20150612104108887.jpg"></P> <P> 通過表格性能對(duì)比,可以看出,SiC Mosfet有三個(gè)方面的性能是明顯優(yōu)于Si IGBT: </P> <P> 1.極其低的導(dǎo)通電阻RDS(ON),導(dǎo)致了極其優(yōu)越的正向壓降和導(dǎo)通損耗,更能適應(yīng)高溫環(huán)境下工作;</P> <P> 2.SiC Mosfet管具有Si Mosfet管的輸入特性,即相當(dāng)?shù)偷臇艠O電荷,導(dǎo)致性能卓越的切換速率; </P> <P> 3. 寬禁帶寬度材料,具有相當(dāng)?shù)偷穆╇娏,更能適應(yīng)高電壓的環(huán)境應(yīng)用; </P> <P> <STRONG>三、驅(qū)動(dòng)電路要求 </STRONG></P> <P> Sic Mosfet具有與Si Mosfet管非常類似的開關(guān)特性,通過對(duì)Si Mosfet的特性研究,其驅(qū)動(dòng)電路具有相同的特性: </P> <P> 1. 對(duì)于驅(qū)動(dòng)電路來講,最重要的參數(shù)是門極電荷,Mosfet管的柵極輸入端相當(dāng)于是一個(gè)容性網(wǎng)絡(luò),因此器件在穩(wěn)定導(dǎo)通時(shí)間或者關(guān)斷的截止時(shí)間并不需要驅(qū)動(dòng)電流,但是在器件開關(guān)過程中,柵極的輸入電容需要充電和放電,此時(shí)柵極驅(qū)動(dòng)電路必須提供足夠大的充放電脈沖電流。如果器件工作頻率越快,柵極電容的充放電時(shí)間要求越短,則要求輸入的柵極電容越小,驅(qū)動(dòng)的脈沖電流越大才能滿足驅(qū)動(dòng)要求; </P> <P> 2.柵極驅(qū)動(dòng)電路必須合理選擇一定的驅(qū)動(dòng)電壓,柵極的驅(qū)動(dòng)電壓越高,則Mosfet的感應(yīng)導(dǎo)電溝道越大,則導(dǎo)通電阻越小;但是柵極驅(qū)動(dòng)電壓太大的話,很容易將柵極和漏極之間絕緣層擊穿,造成Mosfet管的永久失效; </P> <P> 3.為了增加開關(guān)管的速度,減少開關(guān)管的關(guān)斷時(shí)間是有必要的;且為了提高M(jìn)osfet管在關(guān)斷狀態(tài)下的工作可靠性,將驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)成在關(guān)斷狀態(tài)的時(shí)候,在柵極加上反向偏置電壓,以快速釋放柵極輸入電容的電荷,減少了關(guān)斷時(shí)間,使得驅(qū)動(dòng)電路更可靠地關(guān)斷Mosfet;但是反向的驅(qū)動(dòng)電壓會(huì)增加電路損耗,反向偏置電壓最好不要超過-6V; </P> <P> 4.當(dāng)驅(qū)動(dòng)對(duì)象是全橋或者半橋電路的功率Mosfet,或者是為了提高控制電路的抗干擾能力,此時(shí)將驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)成隔離驅(qū)動(dòng)電路;實(shí)現(xiàn)電隔離的方式可以通過磁耦合變壓器和光耦合器件;但是不管采用磁耦合變壓器還是光耦合器件,都要保證耦合器件的延遲時(shí)間與耦合分布電容;采用的隔離電源也必須具有高隔離、快速響應(yīng)時(shí)間與低耦合電容的特性。 </P> <P> <STRONG>四、隔離電源特性需求 </STRONG></P> <P> 從驅(qū)動(dòng)電路的特性來看,要求驅(qū)動(dòng)電源具有以下特性: </P> <P> 1.為了適應(yīng)高頻率的使用要求,要求驅(qū)動(dòng)電源具有瞬時(shí)的驅(qū)動(dòng)大功率特性,即要求具有大的容性負(fù)載能力; </P> <P> 2.為了適應(yīng)高電壓應(yīng)用使用要求,要求驅(qū)動(dòng)電源具有高耐壓能力并且具有超低的隔離電容,來減少高壓總線部分對(duì)低壓控制側(cè)的干擾; </P> <P> 3.隔離驅(qū)動(dòng)電源必須具有合適的驅(qū)動(dòng)電壓,即要求電源具有正負(fù)輸出電壓,并且正負(fù)輸出電壓不是對(duì)稱輸出特性; </P> <P> 金升陽(yáng)針對(duì)SiC隔離驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn),推出了SiC Mosfet驅(qū)動(dòng)專用電源QA01C。該電源電氣性能參數(shù)全部達(dá)到SiC Mosfet驅(qū)動(dòng)電路的要求,如: <IMG border=0 align=right src="/uploadfile/newspic/20150612104149197.jpg"></P> <P> ● 不對(duì)稱驅(qū)動(dòng)電壓,輸出電壓 +20/-4VDC 輸出電流+100/-100mA </P> <P> ● 大容性負(fù)載能力,容性負(fù)載為220uF </P> <P> ● 高隔離電壓,達(dá)到3500VAC </P> <P> ● 極低的隔離電容,低至3.5pF </P> <P> 此驅(qū)動(dòng)電源還滿足了其他性能參數(shù)特點(diǎn),具體功能如下: </P> <P> ● 效率高達(dá)83% </P> <P> ● 工作溫度范圍: -40℃ ~ +105℃ </P> <P> ● 可持續(xù)短路保護(hù) </P> <P> QA01C具有完整的驅(qū)動(dòng)電路推薦,通過SiC驅(qū)動(dòng)專用電源得到不對(duì)稱的正向驅(qū)動(dòng)電壓20V,負(fù)向偏置關(guān)斷電壓-4V;為了防止驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)柵極造成損壞,增加D2和D3來吸收尖峰電壓是很有必要的。SiC驅(qū)動(dòng)器采用一般驅(qū)動(dòng)芯片即可;為了實(shí)現(xiàn)控制信號(hào)與主功率回路的隔離,需要采取隔離措施,推薦采用常見的光耦隔離方案。采用的光耦必須具有高共模抑制比(30KV/us)和比隔離電源大的隔離耐壓并且具有極小的延遲時(shí)間來適應(yīng)SiC Mosfet管的高頻率工作特性。 </P> <P align=center><IMG border=0 src="/uploadfile/newspic/20150612104207723.jpg"></P> <P> <STRONG>五、總結(jié) </STRONG></P> <P> 通過對(duì)SiC Mosfet管與Si IGBT管相關(guān)電氣參數(shù)進(jìn)行比較,我們發(fā)現(xiàn)SiC Mosfet將成為高壓高頻場(chǎng)合下的應(yīng)用趨勢(shì)。根據(jù)對(duì)SiC Mosfet管的開關(guān)特性的研究,金升陽(yáng)推薦了能簡(jiǎn)化其隔離設(shè)計(jì)的專用電源QA01C,同時(shí)也推薦了基于SiC Mosfet的驅(qū)動(dòng)電路。</P> <P> 原文鏈接:http://www.mornsun.cn/news/NewDetail.aspx?id=279&channelid=132<SPAN style="FONT-FAMILY: Webdings"><</SPAN></P>