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<BR>SEMiX&#8482;: 新一代 IGBT產(chǎn)品,應用廣泛,可升級<BR>在半橋、斬波、6單元的技術領域,SEMiX&#8482; 系列是一種平臺式設計,適用于各種功率檔的不同尺寸模塊,廣泛應用于電力電子系統(tǒng)中,特別為中功率和大功率的驅動器、變頻器而設計。 SEMiXTM 模塊可提供的功率容積密度幾乎相當于62-mm 模塊的2倍。首先推出3種模塊尺寸有:SEMiX&#8482;2, SEMiX&#8482;3 和6單元SEMiX&#8482;33。<BR>SEMiX&#8482; 產(chǎn)品包括600V, 1200V 和1700V IGBT3 trench 技術; 1200V 模塊也采用了IGBT3的平面工藝,電流范圍為200A ~700A。 所用的續(xù)流二極管是一種CAL二極管,具有極高的動態(tài)魯棒性。續(xù)流二極管用于快速開關和硬開關。二極管的軟恢復功能可在整個溫度范圍內(nèi)降低EMC的干擾性。<BR>SEMiX&#8482;適用范圍廣。用于外部驅動時,主要用作標準的插塞式連接器;而用于IPM 的解決方案時,則驅動是模塊內(nèi)部的一個組成部分。逆變器可用一個6單元或單獨隔熱半橋來設計,大約可減少20%的熱阻抗,如溫度恒定,則可使負載容量提高15%,或者使芯片溫度降低10-15°C,從而提高耐久性。<BR>MiniSKiiP&reg;II, IGBT模塊新品,性能改良, 新一代<BR>MiniSKiiP&reg;II 是在選用新型芯片和封裝工藝的基礎上,對現(xiàn)有產(chǎn)品范圍和性能的進一步拓展。新產(chǎn)品包括CIB 模塊 (達100A), 和帶通訊輸入橋式模塊的6單元模塊 (達 150 A)。<BR> <BR>MiniSKiiP&reg;II 在電機整流器、UPS系統(tǒng)和電源系統(tǒng)中作為電源切換裝置使用。新的6單元模塊尤適用于離心式驅動。MiniSKiiP&reg;II 采用彈簧接觸和SKiiP&reg; 技術, 可靠性極高,在惡劣的操作環(huán)境中表現(xiàn)尤為突出。在變頻器生產(chǎn)中,可用壓力接觸將MiniSKiiP&reg;II 壓接到PCB板上,無需焊接,便捷、可靠。 <BR>尺寸更小、功能更強的芯片拓展了MiniSKiiP&reg;II 模塊的功率范圍。與現(xiàn)有MiniSKiiP&reg;產(chǎn)品相比,新一代模塊的外型是為更高電流設計的,因此,用它可以設計制造全功率范圍的小尺寸裝置。為了完全覆蓋小功率范圍,尺寸更小的、為600V電壓單獨設計的新型模塊MiniSKiiP&reg; II 0也已推出,并將作為600V Trench IGBT 的特色技術投放市場。新一代 MiniSKiiP&reg; 模塊沿用上一代產(chǎn)品的溫度傳感器。<BR><BR>SEMIPONT&reg;7, 功率高達150 kVA 的無鉛二極管和晶閘管整流橋<BR>SEMIPONT&reg; 7 包括SKD 230, SKDH 230, SKDT 230 和 SKUT 230 整流橋。這些產(chǎn)品分別為不可控、半控、全控的三相橋以及三相交流控制器,電流高達230A,耐壓高達1800V。<BR>新一代產(chǎn)品依據(jù)EU指導方針2002/95/EG引進了無鉛設計。以上四類產(chǎn)品均可實現(xiàn)標準外型尺寸30mm高的螺絲連接高度和底座。玻璃鈍化晶閘管和二極管芯片,確保了極高的耐壓穩(wěn)定性。<BR>新一代SEMIPONT&reg;7 系列若用于變頻器和充電器,可用作輸入橋整流器部分;若用于直流電機,可用于場整流器。精簡的三相交流控制器可用于軟啟動交流電機控制、照明控制或加熱控制。<BR><BR>SEMITOP&reg; 新一代六單元CIB模塊,具有更高的電流密度<BR>新一代SEMITOP&reg; 模塊提供了一個新的高效成本解決方案,更高的電流密度可使小功率驅動達到15 kVA。其目標市場是工業(yè)和消費市場的一般驅動、伺服驅動、洗衣機、空調(diào)設備、電子真空吸塵器和小型電力機車。 <BR>逆變-整流-制動(CIB)模塊使SEMITOP&reg; 產(chǎn)品的范圍和應用得到進一步擴展。新型CIB模塊封裝在SEMITOP&reg; 3里,包括一個三相輸入橋、一個三相逆變器和一個制動斬波器,在80°C 時可達25A/600V。<BR>技術的進步大大提高了設計的靈活性,模塊外型尺寸減小了34%,而電流和電壓范圍仍保持不變。六單元逆變器現(xiàn)在可用于尺寸更小的SEMITOP&reg; 2和SEMITOP&reg; 3封裝。SEMITOP&reg; 是一種外型輕巧的六單元模塊,帶有集成IGBT和續(xù)流二極管,可達20 A/ 600 V 、15 A/ 1200 V (溫度在80°C時)。MOSFET 6單元配置用于SEMITOP&reg; 2中,可達70 A/ 75 V、60 A/ 100 V。<BR>SEMITOP&reg; 是以SKiiP&reg; 技術為基礎的無底板技術,可靠性高,散熱性能好,功率循環(huán)能力強,使材料的利用達到最優(yōu)。因此與相同的離散解決方案相比,其外型尺寸要小的多。<BR><BR>賽米控是一個在功率半導體行業(yè)具有50多年豐富經(jīng)驗的跨國公司。秉承著“創(chuàng)新”與“服務”的宗旨和理念,賽米控業(yè)已成為國際半導體產(chǎn)業(yè)富有創(chuàng)造性的領導者和開拓者,其多先進的研制成果業(yè)已被引為工業(yè)標準。<BR>賽米控公司總部位于德國紐倫堡,在全球擁有2500多名員工。遍布全球的53個子公司所形成的銷售服務網(wǎng)絡,是為顧客提供快捷、高效服務的堅強后盾。賽米控(青島)電子有限公司是賽米控國際集團在中國的唯一子公司,在北京、上海和深圳設有辦事處。<BR><div align=center><img src=/uploadfile/newspic/200561918232321625.gif border=0 onload="javascript:if(this.width>600)this.width=600"></div><div align=center><img src=/uploadfile/newspic/200561918232321625.gif border=0 onload="javascript:if(this.width>600)this.width=600"></div>