什么是功率半導(dǎo)體，功率半導(dǎo)體包含哪些？
2007/2/9 16:32:05 電源在線網(wǎng)
“power semiconductor device”和“power integrated circuit(簡寫為power IC或PIC)”直譯就是功率半導(dǎo)體器件和功率集成電路。
從上世紀(jì)六七十年代至八十年代初，功率半導(dǎo)體器件主要是可控硅整流器(SCR)、巨型晶體管(GTR)和其后的柵關(guān)斷晶閘管(GTO)等。它們的主要用途是用于高壓輸電，以及制造將電網(wǎng)的380V或220V交流電變?yōu)楦鞣N各樣直流電的中大型電源和控制電動機(jī)運(yùn)行的電機(jī)調(diào)速裝置等，這些設(shè)備幾乎都是與電網(wǎng)相關(guān)的強(qiáng)電裝置。因此，當(dāng)時我國把這些器件的總稱———power semiconductor devices沒有直譯為功率半導(dǎo)體器件，而是譯為電力電子器件，并將應(yīng)用這些器件的電路技術(shù)power electronics沒有譯為功率電子學(xué)，而是譯為電力電子技術(shù)。
20世紀(jì)80年代以后，功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)生了翻天覆地的變化。功率半導(dǎo)體器件變?yōu)橐怨β式饘傺趸锇雽?dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
這一轉(zhuǎn)變的主要原因是，這些器件或集成電路能在比以前高10倍以上的頻率下工作，而電路在高頻工作時能更節(jié)能、節(jié)材，能大幅減少設(shè)備體積和重量。尤其是集成度很高的單片片上功率系統(tǒng)(power system on a chip，簡寫PSOC)，它能把傳感器件與電路、信號處理電路、接口電路、功率器件和電路等集成在一個硅芯片上，使其具有按照負(fù)載要求精密調(diào)節(jié)輸出和按照過熱、過壓、過流等情況自我進(jìn)行保護(hù)的智能功能，其優(yōu)越性不言而喻。國際專家把它的發(fā)展喻為第二次電子學(xué)革命。
從上世紀(jì)六七十年代至八十年代初，功率半導(dǎo)體器件主要是可控硅整流器(SCR)、巨型晶體管(GTR)和其后的柵關(guān)斷晶閘管(GTO)等。它們的主要用途是用于高壓輸電，以及制造將電網(wǎng)的380V或220V交流電變?yōu)楦鞣N各樣直流電的中大型電源和控制電動機(jī)運(yùn)行的電機(jī)調(diào)速裝置等，這些設(shè)備幾乎都是與電網(wǎng)相關(guān)的強(qiáng)電裝置。因此，當(dāng)時我國把這些器件的總稱———power semiconductor devices沒有直譯為功率半導(dǎo)體器件，而是譯為電力電子器件，并將應(yīng)用這些器件的電路技術(shù)power electronics沒有譯為功率電子學(xué)，而是譯為電力電子技術(shù)。
20世紀(jì)80年代以后，功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)生了翻天覆地的變化。功率半導(dǎo)體器件變?yōu)橐怨β式饘傺趸锇雽?dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
這一轉(zhuǎn)變的主要原因是，這些器件或集成電路能在比以前高10倍以上的頻率下工作，而電路在高頻工作時能更節(jié)能、節(jié)材，能大幅減少設(shè)備體積和重量。尤其是集成度很高的單片片上功率系統(tǒng)(power system on a chip，簡寫PSOC)，它能把傳感器件與電路、信號處理電路、接口電路、功率器件和電路等集成在一個硅芯片上，使其具有按照負(fù)載要求精密調(diào)節(jié)輸出和按照過熱、過壓、過流等情況自我進(jìn)行保護(hù)的智能功能，其優(yōu)越性不言而喻。國際專家把它的發(fā)展喻為第二次電子學(xué)革命。
聲明：本信息內(nèi)容的真實(shí)性未經(jīng)電源在線網(wǎng)證實(shí)，僅供參考。編輯：news
