什么是MOSFET
2006/9/27 10:56:06 電源在線網(wǎng)
“MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功率輸出級的器件。
MOSFET共有三個(gè)腳，一般為G、D、S，通過G、S間加控制信號時(shí)可以改變D、S間的導(dǎo)通和截止。
功率MOSFET是一種多子導(dǎo)電的單極型電壓控制器件，具有開關(guān)速度快、高頻特性好、熱穩(wěn)定性優(yōu)良、驅(qū)動電路簡單、驅(qū)動功率小、安全工作區(qū)寬、無二次擊穿問題等顯著優(yōu)點(diǎn)。目前，功率MOSFET的指標(biāo)達(dá)到耐壓600V、電流70A、工作頻率100kHz的水平，在開關(guān)電源、辦公設(shè)備、中小功率電機(jī)調(diào)速中得到廣泛的應(yīng)用，使功率變換裝置實(shí)現(xiàn)高效率和小型化。
功率MOSFET與雙極型功率相比具有如下特點(diǎn)：
1．MOSFET是電壓控制型器件(雙極型是電流控制型器件)，因此在驅(qū)動大電流時(shí)無需推動級，電路較簡單；
2．輸入阻抗高，可達(dá)108Ω以上；
3．工作頻率范圍寬，開關(guān)速度高(開關(guān)時(shí)間為幾十納秒到幾百納秒)，開關(guān)損耗�。�
4．有較優(yōu)良的線性區(qū)，并且MOSFET的輸入電容比雙極型的輸入電容小得多，所以它的交流輸入阻抗極高；噪聲也小，最合適制作Hi-Fi音響；
5．功率MOSFET可以多個(gè)并聯(lián)使用，增加輸出電流而無需均流電阻。
MOSFET共有三個(gè)腳，一般為G、D、S，通過G、S間加控制信號時(shí)可以改變D、S間的導(dǎo)通和截止。
功率MOSFET是一種多子導(dǎo)電的單極型電壓控制器件，具有開關(guān)速度快、高頻特性好、熱穩(wěn)定性優(yōu)良、驅(qū)動電路簡單、驅(qū)動功率小、安全工作區(qū)寬、無二次擊穿問題等顯著優(yōu)點(diǎn)。目前，功率MOSFET的指標(biāo)達(dá)到耐壓600V、電流70A、工作頻率100kHz的水平，在開關(guān)電源、辦公設(shè)備、中小功率電機(jī)調(diào)速中得到廣泛的應(yīng)用，使功率變換裝置實(shí)現(xiàn)高效率和小型化。
功率MOSFET與雙極型功率相比具有如下特點(diǎn)：
1．MOSFET是電壓控制型器件(雙極型是電流控制型器件)，因此在驅(qū)動大電流時(shí)無需推動級，電路較簡單；
2．輸入阻抗高，可達(dá)108Ω以上；
3．工作頻率范圍寬，開關(guān)速度高(開關(guān)時(shí)間為幾十納秒到幾百納秒)，開關(guān)損耗�。�
4．有較優(yōu)良的線性區(qū)，并且MOSFET的輸入電容比雙極型的輸入電容小得多，所以它的交流輸入阻抗極高；噪聲也小，最合適制作Hi-Fi音響；
5．功率MOSFET可以多個(gè)并聯(lián)使用，增加輸出電流而無需均流電阻。
聲明：本信息內(nèi)容的真實(shí)性未經(jīng)電源在線網(wǎng)證實(shí)，僅供參考。
