1200V增強(qiáng)型碳化硅縱向結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率模塊
資源類型:其他語(yǔ)言版本:中文
所屬類別:元器件
文件大。1.09MB
更新時(shí)間:2012/1/17 14:25:23
資料來(lái)源:電源在線網(wǎng)
點(diǎn)擊次數(shù):1309
下載地址:

詳細(xì)描述:
最近的模塊研發(fā)工作已經(jīng)生產(chǎn)出封裝在SP1模組中的快速開關(guān),1200V、13mΩ、增強(qiáng)型SiC JFET半橋模塊。