信息類型：庫存信息 　　 所屬類別：測試儀器
地區(qū)城市：所有地區(qū) 更新時間：2015-5-19 10:06:42
聯(lián) 系 人： 楊 有效期限：2016-5-16 10:46:30
公司名稱：西安誼邦電子科技有限公司
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Phase11 熱阻測試儀

一、原廠介紹及用途：

熱阻測試儀設(shè)備，型號：Phase11,生產(chǎn)廠家：美國 Analysis Tech Inc(簡稱：Anatech)公司，設(shè)備符合美軍標(biāo)和JEDEC標(biāo)準(zhǔn). Analysis Tech Inc.成立于 1983 年，坐落于波士頓北部，是電子封裝器件可靠 性測試的國際設(shè)計，制造公司。創(chuàng)始人 John W.Sofia 是美國麻省理工的博士，并且是提出焊點可靠性,熱阻分析和熱導(dǎo)率理論的專家. 發(fā)表了很多關(guān)于熱阻測試于分析，熱導(dǎo)率及焊點可靠性方面的論文. Analysis Tech Inc.在美國有獨立的實驗室提供技術(shù)支持. 在全世界熱阻測試儀這套設(shè)備有幾百家知名用戶。

    主要用于測試二極管，三極管，線形調(diào)壓器，可控硅，LED，MOSFET，MESFET ,IGBT，IC 等分立功率器件的熱阻測試

分析。

                   

二、Phase11 的功能：

PHASE11 可以測試 Rja，Rjc，Rjb Rjl 的熱阻（測試原理符合 JEDEC51-1 定義的動態(tài)及靜態(tài)測試 方法）

1） 瞬態(tài)阻抗(Thermal Impedance)測試，可以得到從開始加熱到結(jié)溫達(dá)到穩(wěn)定這一過程中的瞬態(tài)阻抗數(shù)據(jù)。

2） 穩(wěn)態(tài)熱阻(Thermal Resistance)各項參數(shù)的測試，其包括：Rja,Rjb,Rjc,Rjl, 當(dāng)器件在給一定的工 作電流后。熱量不斷地向外擴(kuò)散，最后達(dá)到了熱平衡，這時得到的結(jié)果是穩(wěn)態(tài)熱阻值。在沒有達(dá) 到熱平衡之前測試到的是熱阻抗。

3） 可以得到用不同占空比方波測試時的阻抗與熱阻值。

4） 內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)與其散熱能力的相關(guān)性分析(Structure Function)，

5） 裝片質(zhì)量的分析(Die Attachment Quality Evaluation).

主要測試器件的粘接處的熱阻抗值，如果有粘接層有氣孔，那么傳熱就要受阻，這樣將導(dǎo)致芯片的溫 度上升，因此這個功能能夠衡量粘接工藝的穩(wěn)定性。

6） 多晶片器件的測試。

以兩個晶片為例：先給其中的晶片

1 加電使其節(jié)溫升高然后測試出熱阻 R11 和功率 Q1 同時給另一晶片 2 供感應(yīng)電流然后測出感應(yīng)熱阻 R21.再給晶片

2 加電使其節(jié)溫升高然后測試出熱阻 R22 節(jié)溫和功率 Q2, 同時給另一晶片 1 供感應(yīng)電流然后測出感應(yīng)熱阻 R12。根

據(jù)熱阻的定義

R=(Tj-Tr)/P 即 R=△T/P

根據(jù)上述測試數(shù)據(jù)做矩陣

    △  T1=R11xQ1+R12xQ2 △T2=R21xQ1+R22xQ2

    此雙晶片模塊的熱阻 R=〔△T1+△T2〕/2*〔Q1+Q2〕

    兩個晶片以上的模塊測試方法和上述方法相同

7） SOA Test

8） 浪涌測試

四．設(shè)備電性規(guī)格：

加熱電流測量精度（低電流測量: 0.2, 1 和2  安培測量）2A 系統(tǒng): ±1mA    10A系統(tǒng): ±5mA    20A系統(tǒng): (±10mA)

加熱電流測量精度（高電流測量: 2, 10 和20  安培測量）2A系統(tǒng): ±4mA    10A 系統(tǒng): ±20mA   20A 系統(tǒng): (±40mA)

加熱電壓測量精度: ±0.25% ，0~50V

熱電偶測量精度(T 型): 典型 ±0.1°C， 最大±0.3°C

交流電壓：220VAC，5A，50/60Hz

器件的最大的供電電壓： 50V（標(biāo)配）

器件的最大的供電電流： 20  安培(標(biāo)配)，選配（200A,400A,800A,1000A）

節(jié) 溫 的 感 應(yīng) 電 流：1mA, 5mA, 10mA, 20mA, 50mA(標(biāo)配)